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Time: 2020-10-16  韋克威科技

電子元器件的可靠性與失效分析(二)

元器件制造工藝與缺陷

1、芯片加工中的缺陷與成品率預(yù)測(cè)
芯片制造缺陷的分類(lèi):
  • IC工藝:氧化、擴(kuò)散、鍍膜、光刻等

  • 厚膜工藝:基板加工、制版、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、激光調(diào)阻、分離元器件組裝等

  • 薄膜工藝:基板加工、制版、薄膜制備、光刻、電鍍等

失效原因:
元器件失效:31%
互連失效:23%,引線鍵合失效、芯片粘結(jié)不良等
沾污失效:21%
關(guān)于混合集成電路:
按制作工藝,可將集成電路分為:
(1)半導(dǎo)體集成電路(基片:半導(dǎo)體)
         即:?jiǎn)纹呻娐罚ü腆w電路)
         工藝:半導(dǎo)體工藝(擴(kuò)散、氧化、外延等)
(2)膜集成電路(基片:玻璃、陶瓷等絕緣體)
         工藝:
         薄膜集成電路——真空蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積技術(shù)
         厚膜集成電路——漿料噴涂在基片上、經(jīng)燒結(jié)而成(絲網(wǎng)印刷技術(shù))
3、混合集成電路(Hybrid Integrated Circuit)
特點(diǎn):充分利用半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路各自的優(yōu)點(diǎn),達(dá)到優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的目的;
工藝:用膜工藝制作無(wú)源元件,用半導(dǎo)體IC或晶體管制作有源器件。
三種集成電路的比較:
韋克威高可靠電子元器件


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標(biāo)簽: 軍用電子元器件 芯片
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