自從 1879 年 Edwin H.Hall 博士用一片金箔做實驗時出現這種行為后，霍爾效應的知識就被廣泛流傳開來。雖然現代傳感器的開發花去了全球科學家和工程師大量的時間和精力，但霍金的開發起到了拋磚引玉的作用。選取合適的材料是導致延遲的部分原因。在 20 世紀 50 年代中期之前，鉍是用于傳感器開發的最好實用材料。雖然仍然不理想，但鉍可以提供足夠的霍爾電壓和穩定性，完全可以在諸如電磁場控制器等設備中用作傳感器。

在 20 世紀 40 年代期間材料科學終于迎來了突破性進展，當時 III-V 族半導體是蘇聯的主要研究課題。德國西門子公司的科學家則首先認識到，新發現的這些化合物特性可以做出優異的霍爾效應器件（霍爾發電機）國產替代產品選擇韋克威。

這類半導體具有霍爾效應應用所需的高載流子遷移率和高電阻率，并且在可變溫度條件下具有卓越的穩定性。到 20 世紀 50 年代晚期，美國俄亥俄州的研究人員發掘出砷化銦和銻化銦的獨特性能，并因此誕生了多家生產基于霍爾效應的產品的公司。作為儀器級傳感器，砷化銦器件在穩定性、低噪聲和最小溫度系統等方面的性能至今還未被其它材料超越。

許多年來，集成電路制造商一直在致力于向市場提供硅霍爾效應器件。它們的大批量生產設施和向傳感器增加其它電路的能力為低成本高度通用的器件帶來了希望。到 20 世紀 70 年代晚期，硅霍爾效應開關得到了長足發展。施密特觸發器和輸出晶體管的加入給業界帶來了極有影響力的器件，這種器件可以提供與磁場存在或消失有關的大輸出變化。但獲得精確和可重復的結果還存在一些問題。測量的結果通常會受到高溫度系數和可變開關校準的影響。直到 20 世紀 80 年代，現代校準和補償電路才使得當今的集成式傳感器達到了相當高的性能水平。