國外的電磁效應芯片一直以來都是占據了優勢，而近年來由一支以海歸專家組成的芯片及納米材料的專家隊伍回國以后，我們實現了在隧道磁阻技術的彎道超車，中國芯片終于在某個細分品種取得了一定的先機。小編將與這支團隊一起探討這種高精度的電流傳感器的研制特點和產品性能：

1,TMR隧道磁阻技術的電流傳感器沒有磁芯，磁芯所帶來的磁滯效應、溫漂等影響就避免了因為其帶來的偏差。2,TMR 電流傳感器的獨特布局可以抵抗外部電磁干擾，這里主要指檢測的磁場與檢測芯片平行的布局。3,TMR 電流傳感器采用梯度差分結構監測磁場，進一步提高精度。

這個中國芯片所制成的電流傳感器擁有更好的溫度穩定性，更高的靈敏度，更低的功耗，更好的線性度，不需要額外的聚磁環結構；相對于AMR元件具有更好的溫度穩定性，更高的靈敏度，更寬的線性范圍，不需要額外的set/reset線圈結構；相對于GMR元件具有更好的溫度穩定性，更高的靈敏度，更低的功耗，更寬的線性范圍。