Time： 2020-10-17
韋克威科技
AMR傳感器與霍爾效應傳感器的區(qū)別-韋克威-更高精度,更強抗擾
AMR傳感器（磁性開關(guān)）和霍爾效應傳感器之間的區(qū)別
AMR磁性材料更小更薄
AMR傳感器可使用的磁場范圍更寬，可以實現(xiàn)更大的檢測范圍。
較大的檢測范圍可減少外殼和安裝中的差異，并且可以使用比霍爾效應傳感器更小，更薄的磁體設計。
磁鐵方向的差異
在霍爾效應傳感器中，當磁體直接位于傳感器上方時，該磁體垂直放置。 在AMR傳感器中，磁體平行于傳感器放置。 每個磁場的檢測方向是不同的。
由于磁鐵兩極附近的磁力很強，因此如果使用垂直放置，則當信用卡或其他磁性材料在附近時，可能會影響數(shù)據(jù)準確性。 因此，當磁體不會垂直放置在諸如智能手機和筆記本電腦之類的電子設備中時，AMR傳感器將非常有用。 （這并不意味著使用水平放置時磁數(shù)據(jù)不會丟失。）
設計靈活性
AMR傳感器具有多種可用于檢測水平磁場的布局模式，因此具有廣泛的設計靈活性。
另一方面，霍爾效應傳感器通常在垂直方向上對磁場進行精確定位檢測，由于建議磁鐵直接位于霍爾效應傳感器的正上方且處于近距離，因此其設計靈活性有限。
AMR傳感器與霍爾效應傳感器對比表
| AMR傳感器 | 霍爾IC | |
| 檢測方向 | 磁電阻效應 | 霍爾效應 |
| 傳感器材料 | Ni和Fe-Si型 | InSb類型 |
| 檢測磁場 | 平行 | 垂直 |
| 探測區(qū)域 | 寬 | 窄 |
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